PDDで線質，深部線量曲線，校正深との線量比を評価する．
・使用機器
3Dphantom, 平行平板形電離箱
測定は実効中心で行う(電極前壁,表面から0,6mm中心側)
・線質に変化が無いかの評価を行うため，基準照射野での測定．
20eに関しては基準照射野(20cm*20cm)と10cm*10cmでも行う．→基準照射野の選択のため
・電離箱の設置について
平行平板形電離箱を少し浮かせて設置すると水面出しがやりやすい．
SSD=100cm
・測定モード
Field(referenceなし) or Ratio(referenceあり)
scan protocol：Breakpoint(位置でスキャンpitchを変える),gradient(線量勾配が急な部分でスキャンpitchを変える)
深部から浅い方向にスキャンすること(水面近くでの表面張力の影響を少なくするため)
・スキャン手順
1．Dmaxを見つける(search Dmax)
2．DmaxにてGain調整(Auto Gain)
3．Dark Current補正
4．DmaxにてNormalize(Normalizeはデータ取得後に調整可能)
5．Scan
・PDIからPDDを算出する手順
1．深部電離量半価深(I50)を算出
2．I50から深部線量半価深(R50)を算出
3．任意の深さdとR50の比(d/R50)を算出
4．深さdの電離量に質量衝突阻止能比を乗じて相対的な深部線量を算出する．質量衝突阻止能比の算出式はR50と(d/R50)の関数として示されている．
5．最大線量で正規化してPDD算出．
※平行平板形電離箱は深さによってKs,Kpolが変化するので，その補正が必要だと緑本に書いてある．
・評価指標
深部線量半価深(R50),校正深(Rref,R50が決まると一元的に決まる),ピーク深(R100),
加速エネルギー(E0)
導入時または，TPSと比較．
2010年11月5日金曜日
2010年11月2日火曜日
Annual_QA 出力の架台角度依存性，運動照射中の安定性
[架台角度依存性]
・空中にビルドアップキャップを取り付けたFarmerを設置する．
・照射野10*10 X線，電子線共に1つのエネルギーのみで大丈夫．
・4方向(G0, G270, G90, G180)から照射を行い，それらの測定の最大値と最小値の差を算出する．
・許容は3%
・相対測定なので，電子線でもFarmer+ビルドアップキャップで測定を行う．
[運動照射中の安定性]
・空中にビルドアップキャップを取り付けたFarmerを設置する．
・照射野10*10 1つのエネルギーのみで大丈夫．
・360度を4分割して45度スパンで測定を行う(30-75度，120-165度，210-255度，300-345度)．
・最大値と最小値の差を算出する．その差が固定照射での指示値に対してどの程度かを評価する．
許容は3%
・運動照射には架台角度依存性も含まれるので，両者を同日に測定すること．
・空中にビルドアップキャップを取り付けたFarmerを設置する．
・照射野10*10 X線，電子線共に1つのエネルギーのみで大丈夫．
・4方向(G0, G270, G90, G180)から照射を行い，それらの測定の最大値と最小値の差を算出する．
・許容は3%
・相対測定なので，電子線でもFarmer+ビルドアップキャップで測定を行う．
[運動照射中の安定性]
・空中にビルドアップキャップを取り付けたFarmerを設置する．
・照射野10*10 1つのエネルギーのみで大丈夫．
・360度を4分割して45度スパンで測定を行う(30-75度，120-165度，210-255度，300-345度)．
・最大値と最小値の差を算出する．その差が固定照射での指示値に対してどの程度かを評価する．
許容は3%
・運動照射には架台角度依存性も含まれるので，両者を同日に測定すること．
Annual_QA 出力係数(OPF,Wedge Factor),3D phantomの取扱い
[3D phantomの取扱い]
・設置：水を入れる前に大まかに中心を合わせる．
あとで変位は可能だけど，曲がっている分は修正出来ないので，まっすぐに配置すること．
・水を入れる．ポンプとUnitにトランスをつなげること．特にUnitは，chamberスキャンの精度や
印加電圧が低下してしまう可能性があるので，必ずトランスを繋げること．
・水面出しを忘れないこと．半導体検出器を水面近くでスキャンしてみて確認する．
最後にbeam中心軸で深さ方向にスキャンしてみて，ビーム中心軸とスキャンのZ方向が平行になっていることを確認．
・使用モード：Field→単純測定 Ratio→Referenceとの相対測定(入力の補正)
[OPF]
・3Dファントムを使用．MU校正用ファントムだと40cm*40cmまでカバー出来ないため．
・X線：Farmer, 電子線：平行平板
・使用する全てのenergy,日常使用する線量率にて行う．
・測定は校正深で行う．本来は基準深線量に戻してOPFを算出する必要があるが，当院では校正深での指示値の比を以ってOPFとする．理由は，基準深OPFと校正深OPFが一致しているため(中島さんがそう言っていた気がする)．
・電子線の場合は，アプリケータごとにOPFを算出する．
従って，モールドのOPFは考慮していないということになる．
・長時間の測定になるので経時的に温度気圧のチェックを行うこと．また，蒸発による水面低下のチェックを行うこと．
・許容は2%
[Wedge Factor]
・OPFと同日に行うと効率的．
・測定はFarmer, 校正深で行う．
・照射野は10cm*10cmで全てのEnergy,Wedge Angleで行う．
・Physical wedgeでも行わないといけないみたいだが，当院ではPWは使用していなく，必要があるのか疑問．．．
・許容は2%
・設置：水を入れる前に大まかに中心を合わせる．
あとで変位は可能だけど，曲がっている分は修正出来ないので，まっすぐに配置すること．
・水を入れる．ポンプとUnitにトランスをつなげること．特にUnitは，chamberスキャンの精度や
印加電圧が低下してしまう可能性があるので，必ずトランスを繋げること．
・水面出しを忘れないこと．半導体検出器を水面近くでスキャンしてみて確認する．
最後にbeam中心軸で深さ方向にスキャンしてみて，ビーム中心軸とスキャンのZ方向が平行になっていることを確認．
・使用モード：Field→単純測定 Ratio→Referenceとの相対測定(入力の補正)
[OPF]
・3Dファントムを使用．MU校正用ファントムだと40cm*40cmまでカバー出来ないため．
・X線：Farmer, 電子線：平行平板
・使用する全てのenergy,日常使用する線量率にて行う．
・測定は校正深で行う．本来は基準深線量に戻してOPFを算出する必要があるが，当院では校正深での指示値の比を以ってOPFとする．理由は，基準深OPFと校正深OPFが一致しているため(中島さんがそう言っていた気がする)．
・電子線の場合は，アプリケータごとにOPFを算出する．
従って，モールドのOPFは考慮していないということになる．
・長時間の測定になるので経時的に温度気圧のチェックを行うこと．また，蒸発による水面低下のチェックを行うこと．
・許容は2%
[Wedge Factor]
・OPFと同日に行うと効率的．
・測定はFarmer, 校正深で行う．
・照射野は10cm*10cmで全てのEnergy,Wedge Angleで行う．
・Physical wedgeでも行わないといけないみたいだが，当院ではPWは使用していなく，必要があるのか疑問．．．
・許容は2%
Annual_QA wedge角度の測定
・wedge角の定義
1．HeelとToe方向でのそれぞれ幾何学的照射野の大きさの1/f 離れた点において定義される．
2．それらの点においてビーム中心軸上で水中深さ10cmの線量と同じ線量になる深さを測定によって見つける．
3．Heel側，Toe側，ビーム中心軸上の等線量の3点を直線で結ぶ．
4．ビーム中心軸とその直線が成す角度がwedge角である．
5．fの値→ 45度未満 : 4 45度以上 : 6
・許容は2度以内．公称値と比較しても意味合いは小さいので，TPSとの差が2度以内と解釈して評価を行っている．
・VarianではGSSTを用いてJaw動作制御しているので，60度のみ測定．また，Enhanced Dynamic Wedgeでは3Dファントムを用いてscanするのは不可能．なので工夫が必要．
・Siemens virtual wedge angle testという方法もあるらしい．
・使用機器： 3D水ファントム,Farmer
・基本的にはMU校正と同じセットアップ．ただし，測定中心は実効中心．
・照射野20*20 → 20*(1/6) = 3.33cm
・中心軸で測定．3.33cm,-3.33cmの位置で等線量を見つける．
・wedge角度算出．
・使用するエネルギーごとに行うこと．
1．HeelとToe方向でのそれぞれ幾何学的照射野の大きさの1/f 離れた点において定義される．
2．それらの点においてビーム中心軸上で水中深さ10cmの線量と同じ線量になる深さを測定によって見つける．
3．Heel側，Toe側，ビーム中心軸上の等線量の3点を直線で結ぶ．
4．ビーム中心軸とその直線が成す角度がwedge角である．
5．fの値→ 45度未満 : 4 45度以上 : 6
・許容は2度以内．公称値と比較しても意味合いは小さいので，TPSとの差が2度以内と解釈して評価を行っている．
・VarianではGSSTを用いてJaw動作制御しているので，60度のみ測定．また，Enhanced Dynamic Wedgeでは3Dファントムを用いてscanするのは不可能．なので工夫が必要．
・Siemens virtual wedge angle testという方法もあるらしい．
・使用機器： 3D水ファントム,Farmer
・基本的にはMU校正と同じセットアップ．ただし，測定中心は実効中心．
・照射野20*20 → 20*(1/6) = 3.33cm
・中心軸で測定．3.33cm,-3.33cmの位置で等線量を見つける．
・wedge角度算出．
・使用するエネルギーごとに行うこと．
2010年10月4日月曜日
Annual_QA 電子線の再現性，直線性
[再現性]
・SetupはMU校正と同じ．
・Beam条件もMU校正と同じ．使用可能なEnergyごとに行う．
・複数回測定(10回測定)を行って，変動係数で評価．
・許容は0.5%以内
[直線性]
・SetupはMU校正と同じ．
・使用可能なEnergyごとに行う．
・Field 10*10(20eは20*20) , MUを80-900MUの間から4つ以上のMUを選択して測定を行う．
測定は5回程度．
・横軸をMU,縦軸を指示値としてGraphを書く．直線近似し，R^2=1となればMUと指示値には直線性が
保たれている(線量とMUの直線性とは別問題)．
・graphの縦軸を線量に変換する．このとき，その日の線量誤差(MU校正での誤差)を考慮する．
→MU校正の誤差-0.5%ならば，900MU照射時の線量から0.5%上乗せする．
→大きいエネルギーを使用する場合は，校正深のPDDのよる補正と，
OPFの補正(照射野20*20のとき)が必要．
・縦軸をcGy表示にして直線近似を行う．線量とMUの直線性が保たれているなら，graphの傾きは1になる．
・許容は3%以下(jastro)．直線近似式から算出した線量[cGy]と，MUとの差が3%以上になるMUを算出する．
直線性の試験とは，指示値とＭＵなのか，線量とＭＵなのか，定義が曖昧．．
[低MUの直線性]
電子線の場合はsmall MUのBeamを使用することはまず無いので，AnnualQA項目から削除．
・SetupはMU校正と同じ．
・Beam条件もMU校正と同じ．使用可能なEnergyごとに行う．
・複数回測定(10回測定)を行って，変動係数で評価．
・許容は0.5%以内
[直線性]
・SetupはMU校正と同じ．
・使用可能なEnergyごとに行う．
・Field 10*10(20eは20*20) , MUを80-900MUの間から4つ以上のMUを選択して測定を行う．
測定は5回程度．
・横軸をMU,縦軸を指示値としてGraphを書く．直線近似し，R^2=1となればMUと指示値には直線性が
保たれている(線量とMUの直線性とは別問題)．
・graphの縦軸を線量に変換する．このとき，その日の線量誤差(MU校正での誤差)を考慮する．
→MU校正の誤差-0.5%ならば，900MU照射時の線量から0.5%上乗せする．
→大きいエネルギーを使用する場合は，校正深のPDDのよる補正と，
OPFの補正(照射野20*20のとき)が必要．
・縦軸をcGy表示にして直線近似を行う．線量とMUの直線性が保たれているなら，graphの傾きは1になる．
・許容は3%以下(jastro)．直線近似式から算出した線量[cGy]と，MUとの差が3%以上になるMUを算出する．
直線性の試験とは，指示値とＭＵなのか，線量とＭＵなのか，定義が曖昧．．
[低MUの直線性]
電子線の場合はsmall MUのBeamを使用することはまず無いので，AnnualQA項目から削除．
2010年9月17日金曜日
Annual_QA X線の再現性，直線性，低ＭＵの直線性
[再現性]
・SetupはMU校正と同じ．
・Beam条件もMU校正と同じ．使用可能なEnergyごとに行う．
・複数回測定(10回測定)を行って，変動係数で評価．
・許容は0.5%以内
[直線性]
・SetupはMU校正と同じ．
・使用可能なEnergyごとに行う．
・Field 10*10, MUを80-900MUの間から4つ以上のMUを選択して測定を行う．測定は5回程度．
・横軸をMU,縦軸を指示値としてGraphを書く．直線近似し，R^2=1となればMUと指示値には直線性が保たれている(線量とMUの直線性とは別問題)．
・graphの縦軸を線量に変換する．このとき，その日の線量誤差(MU校正での誤差)を考慮する．
→MU校正の誤差-0.5%ならば，900MU照射時の線量から0.5%上乗せする．
・縦軸をcGy表示にして直線近似を行う．線量とMUの直線性が保たれているなら，graphの傾きは1になる．
・許容は2%(jastro)以下．直線近似式から算出した線量[cGy]と，MUとの差が2%以上になるMUを算出する．
直線性の試験とは，指示値とＭＵなのか，線量とＭＵなのか，定義が曖昧．．
[低MUの直線性]
・直線性試験と同様の事を行う．
・MUは1-10MU
・Field in Fieldなどで低MUのBeamを用いるので，個々に関して別に評価を行うため．
[2010/10/02 直線性について思うことを追記]
・上記の赤線について，指示値とＭＵの直線性を確認したいならば，線量に変換する必要は無いので，
全てのエネルギーで行う必要は無いと思われる．
・線量とMUの直線性を確認したいならば，線量に変換する必要があるので，
使用可能なエネルギーごとに行う必要があると思う．
・SetupはMU校正と同じ．
・Beam条件もMU校正と同じ．使用可能なEnergyごとに行う．
・複数回測定(10回測定)を行って，変動係数で評価．
・許容は0.5%以内
[直線性]
・SetupはMU校正と同じ．
・使用可能なEnergyごとに行う．
・Field 10*10, MUを80-900MUの間から4つ以上のMUを選択して測定を行う．測定は5回程度．
・横軸をMU,縦軸を指示値としてGraphを書く．直線近似し，R^2=1となればMUと指示値には直線性が保たれている(線量とMUの直線性とは別問題)．
・graphの縦軸を線量に変換する．このとき，その日の線量誤差(MU校正での誤差)を考慮する．
→MU校正の誤差-0.5%ならば，900MU照射時の線量から0.5%上乗せする．
・縦軸をcGy表示にして直線近似を行う．線量とMUの直線性が保たれているなら，graphの傾きは1になる．
・許容は2%(jastro)以下．直線近似式から算出した線量[cGy]と，MUとの差が2%以上になるMUを算出する．
直線性の試験とは，指示値とＭＵなのか，線量とＭＵなのか，定義が曖昧．．
[低MUの直線性]
・直線性試験と同様の事を行う．
・MUは1-10MU
・Field in Fieldなどで低MUのBeamを用いるので，個々に関して別に評価を行うため．
[2010/10/02 直線性について思うことを追記]
・上記の赤線について，指示値とＭＵの直線性を確認したいならば，線量に変換する必要は無いので，
全てのエネルギーで行う必要は無いと思われる．
・線量とMUの直線性を確認したいならば，線量に変換する必要があるので，
使用可能なエネルギーごとに行う必要があると思う．
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