[再現性]
・SetupはMU校正と同じ．
・Beam条件もMU校正と同じ．使用可能なEnergyごとに行う．
・複数回測定(10回測定)を行って，変動係数で評価．
・許容は0.5%以内
[直線性]
・SetupはMU校正と同じ．
・使用可能なEnergyごとに行う．
・Field 10*10(20eは20*20) , MUを80-900MUの間から4つ以上のMUを選択して測定を行う．
測定は5回程度．
・横軸をMU,縦軸を指示値としてGraphを書く．直線近似し，R^2=1となればMUと指示値には直線性が
保たれている(線量とMUの直線性とは別問題)．
・graphの縦軸を線量に変換する．このとき，その日の線量誤差(MU校正での誤差)を考慮する．
→MU校正の誤差-0.5%ならば，900MU照射時の線量から0.5%上乗せする．
→大きいエネルギーを使用する場合は，校正深のPDDのよる補正と，
OPFの補正(照射野20*20のとき)が必要．
・縦軸をcGy表示にして直線近似を行う．線量とMUの直線性が保たれているなら，graphの傾きは1になる．
・許容は3%以下(jastro)．直線近似式から算出した線量[cGy]と，MUとの差が3%以上になるMUを算出する．
直線性の試験とは，指示値とＭＵなのか，線量とＭＵなのか，定義が曖昧．．
[低MUの直線性]
電子線の場合はsmall MUのBeamを使用することはまず無いので，AnnualQA項目から削除．
